国巨推功率强化型厚膜芯片电阻

发布于2006-05-08 10:49:16 次阅读

国巨4日宣布推出3款符合欧盟危害性物质限用指令规格的2512 2W、1206 1/2W、0805 1/4W功率强化型厚膜芯片电阻。
国巨表示，0805 1/4W锁定手机应用，阻值最高可达100奥姆，相较于业界常见的10Ω提高10倍，为市场上0805功率最高的厚膜芯片电阻。
国巨营销副总李伟正表示，可携式消费电子之产品整合度愈高、功能愈复杂，对功率增强型电阻需求愈高；有限空间的电源管理，要求同尺寸、但功率增强厚膜电阻。
国巨的2512 2W、1206 1/2W主要应用于笔记型计算机、电源供应器等，目前已开始小量量产；而0805 1/4W则主要应用于3G手机及无线通讯市场，已针对主要客户开始送样，预计2006年第三季前量产。
2512 2W、1206 1/2W除了提升功率之外，更进一步将阻值提升，0805／1206的阻值高达100Ω，而国巨自行研发的2512 2W，阻值从1－150Ω。
此3款电阻以陶瓷基板为核心结构，两端加入金属电极并以阻抗材质相连接，达到±100∼200ppm/℃的温度系数，工作温度范围介于-55℃∼+185℃之间，满足欧盟与北美RoHS的规范。

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